RF-MBE法によるGaNバルク単結晶基板上へのホモエピタキシャル成長と多重量子井戸構造の作製 : エピキタシャル成長II

智之 田邊; 将史 小西; 基 小野; 肇之 渡邉; 康成 南場; 聡 倉井; 常正 田口; 敬司 甲斐荘; 彰人 横畑

doi:10.19009/jjacg.29.2_28

RF-MBE法によるGaNバルク単結晶基板上へのホモエピタキシャル成長と多重量子井戸構造の作製 : エピキタシャル成長II

Identifier:nobleid.org/w1/20260515/6C02CE09

Type:Journal Article

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