ゲート電圧印加時におけるへき開MIS-Si(111)表面の断面STM/STS測定

石原 佑理; 加藤 直也; 立花 和也; 広田 望; 服部 賢; 大門 寛; Wei Tingting; 藤原 宏平; 服部 梓; 田中 秀和

doi:10.14886/sssj2008.35.0_255

ゲート電圧印加時におけるへき開MIS-Si(111)表面の断面STM/STS測定

Identifier:nobleid.org/w1/20260515/FC63EE80

Type:Journal Article

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