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02aB01 GaAsマイクチャンネルエピタキシーにおける"浮き上がり"効果に与えるSiO_2マスク作製方法の影響(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議) | NobleID
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02aB01 GaAsマイクチャンネルエピタキシーにおける"浮き上がり"効果に与えるSiO_2マスク作製方法の影響(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
Identifier:
nobleid.org/w1/20260515/FF8BA798
Type:
Journal Article
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Paper Authors
朗
朗夫 山本
浩士 伊藤
巧 今井
文晴 寺前
隆浩 丸山
重弥 成塚
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